北京金隅西三旗科技园 | 华通WDCE
阅读:2864 2022-06-17

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项目位于北京市海淀区西三旗的高科技走廊核心地段,比邻中关村科技园和上地信息产业基地,有着浓重的高科技商务园发展氛围,周边交通便利,临近地铁8号线和13号线,地理条件极佳。


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▲项目区位

01
整体规划愿景

整合、分配周边自用地,分片区整体开发、打造复合业态产业园。


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总平面图


西三旗科技园与周边的金隅·智造工场、东升科技园三期实现“互联互通”,借助海淀区国内顶尖科研院所云集和承载北京国际科技创新中心核心区的独特优势,以软件研发应用为核心,重点培育人工智能、工业互联网、智能硬件、未来汽车、新能源和高端装备制造等六大产业,配以创业孵化、科技金融、检验检测认证等科技服务,打造科技创新基地,引领区域科创产业新风向。


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02
建筑布局


将各楼栋沿园区外侧围绕布置,最大化园区中心景观绿地,打造绿色、低密度、高品质花园式的现代科技园区。一期与二期布局交相呼应,共同打造的绿色科技整体园区。


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园区东侧布置大体量高层研发楼,树立新的城市形象。园区一期北侧与二期南侧布置高层研发楼呼应形成中轴。园区西侧由南向北依次布置中型体量研发楼与小型体量研发楼,与西侧金隅智造工场的低矮园区形成协调的高度关系,并打造有序列的城市界面。

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园区实行人车分流,将车流引入地下落客及停车。通过中心下沉广场实现建筑双首层设计,地面为人行到达办公大堂,下沉广场内为配套商业区域,背后为地下一层车库落客区。

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03
建筑单体设计


立面设计概念取自“古书竹简”和“时代脉冲”,塑造出简洁大气、灵动现代的科技园形象。底层立面起伏的风格处理与整座建筑相统一,共同形成一个有机的整体,强化建筑立面特色,并解决近地建筑造型的人性化尺度与高层建筑庞大尺度之间的矛盾。


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设计采用模数化立面,以单元式幕墙体系构建竖向线条,不影响立面效果的同时,可以随意开启,提升通风效率。

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04
景观设计

下沉式的景观设计,使地下空间与地上绿化融为一体,构建立体园林式办公园区,并以宜人的尺度与周边片区自然连接,友好明确极具辨识度的城市界面,也为周边城市人群提供绿色城市花园。


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项目名称:金隅西三旗科技园

项目地点:北京市海淀区西三旗

项目规模:224942㎡

设计时间:2017年5月

竣工时间:2021年11月


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